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如何判断饱和？

　　判断饱和时应该求出基级zui大饱和电流IBS,然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级zui大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

　　饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在  且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。

　　影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和；2.管子的放大倍数  放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小。

　　饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压；2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右（假设e极接地）。

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　　谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为R,则集-射极电压Vce=VCC-Ib*hFE*R,随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。

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