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场效应管的主要参数：以N沟道增强型MOS管来说明它的主要参数。

◇直流参数：开启电压是在衬底半导体表面感生出导电沟道所需的栅源电压。直流输入电阻是在漏、源极间电压为零的条件下，栅极与源极之间加一定直流电压时，栅、源极间的直流电阻。

◇交流参数：跨导（或称互导）是指当漏、源极间电压一定时，漏极电流变化量与引起这一变化的栅源电压变化量之比。

◇场效应管的电极之间存在着极间电容：栅、源极间电容和栅、漏极间电容，它们是影响高频性能的交流参数，应越小越好。一般管子为几皮法。

◇极限参数：漏极zui大允许电流是指场效应管工作时，允许的zui大漏极电流。漏极zui大耗散功率是管子允许的zui大耗散功率，相当于双极型晶体管的PCM，根据这个参数也可以在输出特性上画出功率损耗线。

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◇栅、源极间击穿电压是指在漏、源极间电压为零时，栅、源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的值。漏、源极间击穿电压是指在漏、源极间电压增大时，使漏极电流开始急剧增加时的值。此时，不仅感生沟道中的电子参与导电，空间电荷区（即PN结）发生击穿，使电流增大。

场效应管的识别一是通过晶体三极管的G极、D极和S极三极识别；二是通过万用表测量识别；三是根据型号识别。

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