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效应(晶体)管,是一种利用场效应原理工作的半导体器件。场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功率小、易于集成等特点。场效应管一般具有3个极,其中G为栅极,S为源极,D为漏极,场效应管的S极和D极是对称的,在实际使用中可以互换。场效应管是电压控制器件,即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化,从而达到放大等目的。场效应管一般在电路中被用于放大、调制、阻抗变换、恒流源、可变电阻等场合。如图1所示。
图1 主板的电源场效应管 | 图2 场效应管分类 |
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◆场效应管分类:
按结构来划分可分为结型场效应三极管(JFET)和绝缘栅型场效应三极管(IGFET或MOSFET)两大类。结型场效应管有N沟道和P沟道管;绝缘栅型场效应管分为增强型N沟道、P沟道管,耗尽型N沟道、P沟道管,如图2所示。
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